BD677AS (Bipolartransistor NPN) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

BD677AS (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 42674
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Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

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Technische Details BD677AS (Bipolartransistor NPN)

Preis BD677AS (Bipolartransistor NPN) ab 0.59 EUR bis 1.39 EUR

BD677AS
BD677AS
Hersteller: ON Semiconductor / Fairchild
Darlington Transistors NPN Epitaxial Sil
BD677A-1305231.pdf
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
1071338143328623bd679a.pdf
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BD677AS
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Darlington Transistors NPN Epitaxial Sil
BD681_D-2310372.pdf
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BD677AS
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
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BD677AS
BD677AS
Hersteller: Fairchild Semiconductor
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Manufacturer: Rochester Electronics, LLC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Transistor Type: NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Power - Max: 40W
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package: TO-126-3
Base Part Number: BD677
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BD677AS
BD677AS
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 60V 4A TO-126
Power - Max: 40W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Transistor Type: NPN - Darlington
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Manufacturer: onsemi
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package: TO-126-3
Base Part Number: BD677
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