BD679A Plastic Medium-Power Silicon NPN Darlingtons 80V, 4A,40W (ST) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

BD679A  Plastic Medium-Power Silicon NPN Darlingtons 80V, 4A,40W

BD679A Plastic Medium-Power Silicon NPN Darlingtons 80V, 4A,40W

Produktcode: 68745
Hersteller: ST
Gehäuse: SOT-32
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 4
Bem.: Transistors Darlington

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Technische Details BD679A Plastic Medium-Power Silicon NPN Darlingtons 80V, 4A,40W

  • TRANSISTOR, DARLINGTON TO-126
  • Transistor Polarity:NPN
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V
  • No. of Pins:3
  • Av Current Ic:4A
  • Case Style:TO-126
  • Current Ic hFE:2A
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic:4A
  • Max Current Ic Continuous a:4A
  • Max Power Dissipation Ptot:40W
  • Min Hfe:750
  • No. of Transistors:1
  • Transistor Type:Power Darlington
  • Voltage Vcbo:80V

Möglichen Substitutionen

BD679 (Bipolartransistor NPN)
BD679 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 30157
Hersteller: ST
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 4
h21: 3000
Bem.: Darlington
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Preis BD679A Plastic Medium-Power Silicon NPN Darlingtons 80V, 4A,40W ab 0.12 EUR bis 2.22 EUR


Produktcode: 152231
Hersteller:
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

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BD679A
Hersteller: STMicroelectronics
Material: BD679A NPN THT Darlington transistors
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258+ 0.28 EUR
1000+ 0.25 EUR
BD679A
Hersteller: STMicroelectronics
; Ptot, = 40; . = NPN; Uceo, = 80; Ic = 4 ; . = ; ft, = 40; hFE = 750 @ 2 , 3 ; Icutoff-max = 500 ; Uceo(sat), @ Ic, Ib = 2.8 @ 40 , 2 ; , ° = -65...+150; SOT-32-3
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BD679A
BD679A
Hersteller: STMicroelectronics
Darlington Transistors NPN General Purpose
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BD679A
BD679A
Hersteller: STMicroelectronics
Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD679A
Hersteller: STMicroelectronics
Material: BD679A NPN THT Darlington transistors
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BD679A
Hersteller: ST
Darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz Trans. BD679A TO126 TBD679a
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BD679A
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 4A 80V Bipolar
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BD679A
Hersteller: STMicroelectronics NV
NPN , U=80V, I=4A (6 .), h21=750, 40, SOT-32 ( BD680A)
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Hersteller: ON Semiconductor
Darlington Transistors 4A 80V Bipolar
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD679A
BD679A
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-32-3
Packaging: Tube
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
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Produktcode: 4865
LM117, 217, 317.pdf
LM317MDT
Hersteller: ST
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Gehäuse: TO-252
Uin, V: 40
Uout,V: 1.2…37
Iout,A: 0.5
Bemerkung: Positive Fixed
Temperaturbereich: 0…125
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1+ 0.29 EUR
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Produktcode: 40386
техническая информация 4n35-300e-datasheet.pdf
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Gehäuse: DIP-6
Typ: Fototransistor Optokoppler
U-isol, kV: 3.5
I-ein/ I-ausg, mA: 60/100
U ausg, V: 30
Ton/Toff, µs: 3/3
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Produktcode: 76178
hc49u-cinetech.pdf
HC49U 16.00000MHz (30pF, 30PPM) 16,0MHz 372 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.25 EUR
10+ 0.12 EUR
100+ 0.089 EUR
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Produktcode: 122262
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Hersteller: 71009
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Spannung. in., V: 1 W
Spannung. out,VDC: 21,6...26,4 VDC
Maximaler Ausgangsstrom: 12 VDC
Gehäuse, Abmessungen, mm: 100 mA
Temperatur, °C: SIP4
Isolierung, VDC und weitere Eigenschaften: -40...+85°C
1 kVDC
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