BD809
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Technische Details BD809
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 1.5MHz, Supplier Device Package: TO-220, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 90 W.
Weitere Produktangebote BD809
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| BD809 | On Semiconductor |
TO220 Транзистори |
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BD809 | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 1.5MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 90 W |
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BD809 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 90W NPN |
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| BD809 |
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Hersteller: On Semiconductor
TO220 Транзистори
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| BD809 |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 1.5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 90 W
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 1.5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
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Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 90W NPN
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