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BDS16-QR-B TT Electronics


Hersteller: TT Electronics
Bipolar Transistors - BJT
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Technische Details BDS16-QR-B TT Electronics

Trans GP BJT NPN 120V 8A 43750mW 3-Pin(3+Tab) TO-220M.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BDS16-QR-B Semelab (TT electronics) bds16_17smd.pdf Trans GP BJT NPN 120V 8A 43750mW 3-Pin(3+Tab) TO-220M
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Hersteller: Semelab (TT electronics)
Trans GP BJT NPN 120V 8A 43750mW 3-Pin(3+Tab) TO-220M
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