BDV65BG
Produktcode: 185363
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Technische Details BDV65BG
- DARLINGTON TRANSISTOR, SOT-93
- Transistor Type:Bipolar Darlington
- Transistor Polarity:NPN
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:100V
- Max Current Ic Continuous a:12A
- Max Voltage Vce Sat:2V
- Power Dissipation:125W
- Min Hfe:1000
- Case Style:SOT-93
- Termination Type:Through Hole
- Alternate Case Style:TO-218
- Av Current Ic:12A
- Current Ic hFE:5A
- Device Marking:BDV65B
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Current Ic:12A
- Max Power Dissipation Ptot:125W
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Voltage Vcbo:100V
Weitere Produktangebote BDV65BG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BDV65BG | Hersteller : On Semiconductor |
NPN; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BDV65BG | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 10A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 125 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BDV65BG | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 10A 100V Bipolar Power NPN |
Produkt ist nicht verfügbar |