
BDV65BG ON Semiconductor
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Technische Details BDV65BG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BDV65BG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-247, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 10A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BDV65BG | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BDV65BG Produktcode: 185363
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BDV65BG | Hersteller : ON Semiconductor |
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BDV65BG | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 125 W |
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BDV65BG | Hersteller : onsemi |
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