BDW83C (Bipolartransistor NPN) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

BDW83C (Bipolartransistor NPN)

BDW83C (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 31516
Hersteller:
Gehäuse: SOT-93
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 15
h21: 20000
Bem.: Darlington

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Technische Details BDW83C (Bipolartransistor NPN)

Preis BDW83C (Bipolartransistor NPN) ab 4.24 EUR bis 4.24 EUR

BDW83C
Hersteller: PMC
darl.NPN 15A 100V 130W Trans. BDW83C TO3P TBDW83c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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auf Bestellung 4 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+ 4.24 EUR
BDW83C
Hersteller: PMC
darl.NPN 15A 100V 130W Trans. BDW83C TO3P TBDW83c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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auf Bestellung 8 Stücke
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BDW83C
Hersteller: PMC
darl.NPN 15A 100V 130W Trans. BDW83C TO3P TBDW83c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
BDW83C,%20BDW84C.pdf LSSGP091.PDF
auf Bestellung 120 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+ 4.24 EUR
BDW83C
BDW83C
Hersteller: STMicroelectronics
Trans Darlington NPN 100V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
1082cd00000949.pdf
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BDW83C
BDW83C
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BDW83C - Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 15 A, 130 W, TO-247, Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 130
DC Current Gain hFE: 750
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 15
Transistor Case Style: TO-247
Transition Frequency ft: -
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
1809312.pdf
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BDW83C
Hersteller: Bourns
Darlington Transistors 150W 15A NPN
bdw83-1159207.pdf
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BDW83C
Hersteller: Central Semiconductor
Central Semiconductor
BDW83C,%20BDW84C.pdf LSSGP091.PDF
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BDW83C
BDW83C
Hersteller: STMicroelectronics
Darlington Transistors NPN Power Darlington
stmicroelectronics_cd00000949-1204560.pdf
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BDW83C
BDW83C
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN DARL 100V 15A TO-247
Supplier Device Package: TO-247-3
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 130W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 150mA, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Current - Collector (Ic) (Max): 15A
Transistor Type: NPN - Darlington
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
BDW83C,%20BDW84C.pdf
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BDW83C
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: POWER TRANSISTOR NPN TO218
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Power - Max: 130W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Current - Collector (Ic) (Max): 15A
Transistor Type: NPN
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-218
LSSGP091.PDF
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