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BF998E6327HTSA1


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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BF998E6327HTSA1 BF998E6327HTSA1 INFINEON SIEMD073-229.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BF998E6327HTSA1 - HF-FET-Transistor, 12 V, 30 mA, 200 mW, TO-252
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Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BF998E6327HTSA1 BF998E6327HTSA1 Infineon Technologies infineon-bf998-datasheet-v01_00-en.pdf Trans RF FET N-CH 12V 0.03A Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R
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Hersteller: INFINEON
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Hersteller: INFINEON
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Trans RF FET N-CH 12V 0.03A Automotive AEC-Q101 4-Pin SOT-143 T/R
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