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BFN27

BFN27

Infineon-BFN27-DS-v01_01-en.pdf
Produktcode: 167637
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Hersteller:
Grenzfrequenz fT, MHz: 100 МГц
Spannung Uce, V: 300 В
Spannung Ucb, V: 300 В
Strom Ic, A: 0,2 А
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFN 27 E6327 BFN 27 E6327 Infineon Technologies Infineon-BFN27-DS-v01_01-en.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
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BFN 27 E6327 Infineon-BFN27-DS-v01_01-en.pdf
BFN 27 E6327
Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
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Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 45 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,5 A
Stromverstärkung h21: 600
Montage: SMD
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Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 32 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 32 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 800
Montage: SMD
verfügbar: 250 St.
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MMUN2111
Produktcode: 4078
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MMUN2111
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
Spannung Uce, V: 50 V
Spannung Ucb, V: 50 V
Strom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21, max: 60
Bemerkung: Digitaltransistor
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PMBTA06 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 2226
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PMBTA06.pdf
PMBTA06 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,5 A
Stromverstärkung h21: 100
Montage: SMD
auf Bestellung: 206 St.
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BC846A (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 2036
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BC846A.pdf
BC846A (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Transitfrequenz fT: 100 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 65 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 220
Montage: SMD
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