BFP 405F H6327 Infineon Technologies
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Technische Details BFP 405F H6327 Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 22.5dB, Power - Max: 75mW, Current - Collector (Ic) (Max): 25mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V, Frequency - Transition: 25GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BFP 405F H6327 nach Preis ab 0.26 EUR bis 0.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||
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| BFP405FH6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPNPackaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 22.5dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
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