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BFP 405F H6327 Infineon Technologies


Infineon_BFP405F_DS_v02_00_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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Technische Details BFP 405F H6327 Infineon Technologies

Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 22.5dB, Power - Max: 75mW, Current - Collector (Ic) (Max): 25mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V, Frequency - Transition: 25GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFP405FH6327 Infineon Technologies INFNS10674-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22.5dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
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BFP405FH6327 INFNS10674-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22.5dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
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Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
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