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BFP 405F H6327 Infineon Technologies


Infineon_BFP405F_DS_v02_00_EN-2309378.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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Technische Details BFP 405F H6327 Infineon Technologies

Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN, Part Status: Active, Supplier Device Package: 4-TSFP, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz, Frequency - Transition: 25GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V, Current - Collector (Ic) (Max): 25mA, Power - Max: 75mW, Gain: 22.5dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFP405FH6327 Infineon Technologies INFNS10674-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition: 25GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Power - Max: 75mW
Gain: 22.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Packaging: Bulk
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Description: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-TSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition: 25GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Power - Max: 75mW
Gain: 22.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
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