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BFP 193W H6327 Infineon Technologies


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Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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Technische Details BFP 193W H6327 Infineon Technologies

Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT343, Kind of transistor: RF, Type of transistor: NPN, Kind of package: reel; tape, Case: SOT343, Frequency: 6GHz, Collector current: 80mA, Mounting: SMD, Collector-emitter voltage: 20V, Power dissipation: 0.58W, Polarisation: bipolar.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFP193WH6327 BFP193WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP193WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT343
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT343
Frequency: 6GHz
Collector current: 80mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 20V
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: bipolar
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BFP193WH6327 BFP193WH6327-dte.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT343
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT343
Frequency: 6GHz
Collector current: 80mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 20V
Power dissipation: 0.58W
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