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BFP520 H6327 Infineon


Hersteller: Infineon

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Technische Details BFP520 H6327 Infineon

Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 2.5V; 40mA; 0.1W; SOT343, Type of transistor: NPN, Technology: SIEGET™, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: RF, Collector-emitter voltage: 2.5V, Collector current: 40mA, Power dissipation: 0.1W, Case: SOT343, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Frequency: 45GHz.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFP 520 H6327 BFP 520 H6327 Infineon Technologies Infineon_BFP520_DS_v02_00_EN-1225439.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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BFP520H6327 BFP520H6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP520.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 2.5V; 40mA; 0.1W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 2.5V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 45GHz
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BFP 520 H6327
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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BFP520H6327
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 2.5V; 40mA; 0.1W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 2.5V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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