BFP640FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BFP640FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4-TSFP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 8B ~ 30.5dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V, Frequency - Transition: 46GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BFP640FESDH6327XTSA1 nach Preis ab 0.32 EUR bis 0.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BFP640FESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
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BFP640FESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
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BFP640FESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4-TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8B ~ 30.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
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BFP640FESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
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BFP640FESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive 4-Pin TSFP T/R |
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Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
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BFP640FESDH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4-TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8B ~ 30.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
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