BFP640FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BFP640FESDH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4-TSFP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 8B ~ 30.5dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V, Frequency - Transition: 46GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BFP640FESDH6327XTSA1 nach Preis ab 0.45 EUR bis 0.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
 Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFP640FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4-TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8B ~ 30.5dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 46GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFP640FESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BFP640FESDH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.45 EUR |
| BFP640FESDH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 4.1V 0.05A Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 3000+ | 0.45 EUR |
| BFP640FESDH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4-TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8B ~ 30.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 46GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4-TSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8B ~ 30.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 46GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
auf Bestellung 110 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 0.86 EUR |
| 35+ | 0.61 EUR |
| 39+ | 0.54 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| BFP640FESDH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 5000 Stücke:
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