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BFP 720F H6327

BFP 720F H6327 Infineon Technologies


Infineon-BFP720F-DS-v02_00-EN-1518753.pdf Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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Technische Details BFP 720F H6327 Infineon Technologies

Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 15dB, Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 25mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V, Frequency - Transition: 45GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 10GHz, Supplier Device Package: 4-TSFP, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BFP720FH6327 Hersteller : Infineon Technologies INFNS27662-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 10GHz
Supplier Device Package: 4-TSFP
Part Status: Active
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