BFP720H6327 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 28.5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2
Part Status: Active
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details BFP720H6327 Infineon Technologies
Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 10.5dB ~ 28.5dB, Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 25mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V, Frequency - Transition: 45GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz, Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2, Part Status: Active.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BFP 720 H6327 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
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