BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 20mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BFR181WH6327XTSA1 nach Preis ab 0.049 EUR bis 0.6 EUR
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BFR181WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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BFR181WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active |
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BFR181WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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BFR181WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
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BFR181WH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 20mA Power dissipation: 0.175W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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BFR181WH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 20mA Power dissipation: 0.175W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz |
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Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 175mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active |
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BFR181WH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 20mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BFR181WH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 20mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BFR181WH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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