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BFR181WH6327XTSA1

BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies

331bfr181w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 2765 Stücke:
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Technische Details BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 20mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
30000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON INFNS27311-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
878+0.29 EUR
1329+0.18 EUR
1722+0.12 EUR
1909+0.11 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 878 Stücke
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Infineon TBFR181w_INFINEON_0001.pdf Transistor NPN; Bipolar; 12V; 2V; 8GHz; 20mA; 175mW; -65°C~150°C; BFR181WE6327; BFR181WH6327XTSA1 TBFR181w
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR181WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 0.175W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Collector current: 20mA
Mounting: SMD
auf Bestellung 7684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.39 EUR
258+0.33 EUR
290+0.3 EUR
341+0.25 EUR
382+0.23 EUR
424+0.2 EUR
472+0.18 EUR
506+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
auf Bestellung 44858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
54+0.39 EUR
60+0.35 EUR
100+0.3 EUR
250+0.27 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 20740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+0.74 EUR
559+0.42 EUR
705+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies 331bfr181w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BFR181WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.24 EUR
6000+0.23 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BFR181WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1329+0.18 EUR
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1909+0.11 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 878 Stücke
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BFR181WH6327XTSA1 TBFR181w_INFINEON_0001.pdf
BFR181WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Transistor NPN; Bipolar; 12V; 2V; 8GHz; 20mA; 175mW; -65°C~150°C; BFR181WE6327; BFR181WH6327XTSA1 TBFR181w
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
200+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327.pdf
BFR181WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Power dissipation: 0.175W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
Collector current: 20mA
Mounting: SMD
auf Bestellung 7684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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218+0.39 EUR
258+0.33 EUR
290+0.3 EUR
341+0.25 EUR
382+0.23 EUR
424+0.2 EUR
472+0.18 EUR
506+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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BFR181WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
auf Bestellung 44858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+0.57 EUR
54+0.39 EUR
60+0.35 EUR
100+0.3 EUR
250+0.27 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BFR181WH6327XTSA1 bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f
BFR181WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 20740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
339+0.74 EUR
559+0.42 EUR
705+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
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BFR181WH6327XTSA1 331bfr181w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf
BFR181WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH