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BFR181WH6327XTSA1

BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies

bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
auf Bestellung 57000 Stücke:
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AnzahlPreis
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Technische Details BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 20mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Infineon TBFR181w_INFINEON_0001.pdf Transistor NPN; Bipolar; 12V; 2V; 8GHz; 20mA; 175mW; -65°C~150°C; BFR181WE6327; BFR181WH6327XTSA1 TBFR181w
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR181WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Case: SOT323
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 8794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.33 EUR
258+0.28 EUR
290+0.25 EUR
341+0.21 EUR
382+0.19 EUR
424+0.17 EUR
472+0.15 EUR
506+0.14 EUR
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
auf Bestellung 58008 Stücke:
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47+0.38 EUR
52+0.34 EUR
100+0.29 EUR
250+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 20740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BFR181WH6327XTSA1 TBFR181w_INFINEON_0001.pdf
BFR181WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Transistor NPN; Bipolar; 12V; 2V; 8GHz; 20mA; 175mW; -65°C~150°C; BFR181WE6327; BFR181WH6327XTSA1 TBFR181w
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
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AnzahlPreis
200+0.26 EUR
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327.pdf
BFR181WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Case: SOT323
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 8794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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218+0.33 EUR
258+0.28 EUR
290+0.25 EUR
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382+0.19 EUR
424+0.17 EUR
472+0.15 EUR
506+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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BFR181WH6327XTSA1 bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f
BFR181WH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
auf Bestellung 58008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
32+0.56 EUR
47+0.38 EUR
52+0.34 EUR
100+0.29 EUR
250+0.27 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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BFR181WH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 20740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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