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BFR181WH6327XTSA1

BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies

331bfr181w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 175mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 20mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 331bfr181w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 331bfr181w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC244ACA589D3D7&compId=BFR181WH6327.pdf?ci_sign=73bcb88578474fc2ccb23c7942861156c0acb869 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Collector current: 20mA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
455+0.16 EUR
521+0.14 EUR
669+0.11 EUR
758+0.094 EUR
851+0.084 EUR
933+0.077 EUR
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC244ACA589D3D7&compId=BFR181WH6327.pdf?ci_sign=73bcb88578474fc2ccb23c7942861156c0acb869 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Collector current: 20mA
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 331bfr181w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS27311-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7040 Stücke:
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS27311-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR181WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 20mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 331bfr181w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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BFR181WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f Transistor NPN; Bipolar; 12V; 2V; 8GHz; 20mA; 175mW; -65°C~150°C; BFR181WE6327; BFR181WH6327XTSA1 TBFR181w
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 331bfr181w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 331bfr181w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 331bfr181w.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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