BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.23 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |
| 9000+ | 0.2 EUR |
| 15000+ | 0.19 EUR |
| 21000+ | 0.18 EUR |
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Technische Details BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: TSFP, Dauerkollektorstrom: 80mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BFR193FH6327XTSA1 nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
auf Bestellung 86075 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR193FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFPtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2964 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR193FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFPtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 80mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2964 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-TSFP-3DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Power - Max: 580mW Gain: 12.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Frequency - Transition: 8GHz |
auf Bestellung 2706 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
auf Bestellung 57615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BFR193FH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.23 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |
| 9000+ | 0.19 EUR |
| 15000+ | 0.18 EUR |
| 21000+ | 0.17 EUR |
| 30000+ | 0.15 EUR |
| BFR193FH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
auf Bestellung 86075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2453+ | 0.26 EUR |
| 10000+ | 0.24 EUR |
| BFR193FH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 472+ | 0.54 EUR |
| 800+ | 0.29 EUR |
| 1021+ | 0.21 EUR |
| 1031+ | 0.2 EUR |
| BFR193FH6327XTSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Dauerkollektorstrom: 80mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2964 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.54 EUR |
| 800+ | 0.29 EUR |
| 1021+ | 0.21 EUR |
| 1031+ | 0.2 EUR |
| BFR193FH6327XTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-TSFP-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Power - Max: 580mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-TSFP-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Power - Max: 580mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
auf Bestellung 2706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 0.57 EUR |
| 54+ | 0.39 EUR |
| 60+ | 0.35 EUR |
| 100+ | 0.3 EUR |
| 250+ | 0.27 EUR |
| 500+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| BFR193FH6327XTSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
auf Bestellung 57615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.69 EUR |
| 10+ | 0.4 EUR |
| 100+ | 0.32 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| 3000+ | 0.27 EUR |
| 6000+ | 0.25 EUR |





