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BFR193FH6327XTSA1

BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-TSFP-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Power - Max: 580mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Frequency - Transition: 8GHz
auf Bestellung 2706 Stücke:
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Technische Details BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-TSFP-3, Supplier Device Package: PG-TSFP-3, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Frequency - Transition: 8GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, Current - Collector (Ic) (Max): 80mA, Power - Max: 580mW, Gain: 12.5dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote BFR193FH6327XTSA1 nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFR193FH6327XTSA1 BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFR193F_DS_v01_01_en.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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