BFR740EL3E6829XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 42GHZ PG-TSLP-3-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V
Frequency - Transition: 42GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 12GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10
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Technische Details BFR740EL3E6829XTSA1 Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 42GHZ PG-TSLP-3-10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 11dB, Power - Max: 160mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V, Frequency - Transition: 42GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 12GHz, Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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BFR740EL3E6829XTSA1 | Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BFR740EL3E6829XTSA1 |
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