BFR740EL3E6829XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BFR740EL3E6829XTSA1 Infineon Technologies
Description: RF BIP TRANSISTORS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 11dB, Power - Max: 160mW, Current - Collector (Ic) (Max): 40mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V, Frequency - Transition: 42GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 12GHz, Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10.
Weitere Produktangebote BFR740EL3E6829XTSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BFR740EL3E6829XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans RF BJT NPN 4V 0.04A 160mW 3-Pin TSLP T/R |
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BFR740EL3E6829XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF BIP TRANSISTORS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 11dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 12GHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10 |
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BFR740EL3E6829XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS |
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