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BFR843EL3E6327XTSA1

BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BFR843EL3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389715764ed1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.6V PG TSLP-3-10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 25.5dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10
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Technische Details BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: RF TRANS NPN 2.6V PG TSLP-3-10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 25.5dB, Power - Max: 125mW, Current - Collector (Ic) (Max): 55mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V, Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10.

Weitere Produktangebote BFR843EL3E6327XTSA1 nach Preis ab 0.55 EUR bis 1.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BFR843EL3E6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFR843EL3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389715764ed1 Description: RF TRANS NPN 2.6V PG TSLP-3-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 25.5dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10
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BFR843EL3E6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFR843EL3_DataSheet_v02_01_EN.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
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Transistor Type: NPN
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Gain: 25.5dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
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RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
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