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BFR843EL3E6327XTSA1 INFINEON


3929310.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 55mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
284+0.88 EUR
378+0.62 EUR
415+0.51 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
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Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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Technische Details BFR843EL3E6327XTSA1 INFINEON

Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 55mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125mW, Bauform - Transistor: TSLP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BFR843EL3E6327XTSA1 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BFR843EL3E6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 INFINEON 3929310.pdf Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 55mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 125mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.6V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BFR843EL3E6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFR843EL3_DataSheet_v02_01_EN.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
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10+0.92 EUR
100+0.75 EUR
500+0.71 EUR
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10000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BFR843EL3E6327XTSA1 BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFR843EL3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389715764ed1 Description: RF TRANS NPN 2.6V PG TSLP-3-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 25.5dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10
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21+1.04 EUR
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BFR843EL3E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFR843EL3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389715764ed1 Trans RF BJT NPN 2.25V 0.055A 125mW Automotive 3-Pin TSLP T/R
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152+1.15 EUR
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Description: INFINEON - BFR843EL3E6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Wandlerpolarität: NPN
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 2.6V PG TSLP-3-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 25.5dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 55mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-10
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