BFS483H6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 0.47 EUR |
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| 30000+ | 0.41 EUR |
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Technische Details BFS483H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFS483H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 70hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 65mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 450mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Bauform - HF-Transistor: SOT-363, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, DC-Kollektorstrom: 65mA, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BFS483H6327XTSA1 nach Preis ab 0.41 EUR bis 1.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BFS483H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 81000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFS483H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
auf Bestellung 7586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFS483H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFS483H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 65mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2755 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BFS483H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 65mA Power dissipation: 0.45W Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz |
auf Bestellung 2755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFS483H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 1655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFS483H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 19dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 65mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active |
auf Bestellung 51521 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BFS483H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 1655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFS483H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFS483H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 70hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 65mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-363 Bauform - HF-Transistor: SOT-363 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 65mA Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 6805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFS483H6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFS483H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-363 tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 65mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-363 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 6805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BFS483H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
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BFS483H6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R |
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