BGAP2D30AE6327XTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: WIRELESS INFRASTRUCTURE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 4.2GHz
RF Type: 4G, 5G
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Gain: 35.2dB
Current - Supply: 121mA
Noise Figure: 3.1dB
P1dB: 28.5dBm
Supplier Device Package: PG-TSNP-16-13
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Technische Details BGAP2D30AE6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: WIRELESS INFRASTRUCTURE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-WFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.3GHz ~ 4.2GHz, RF Type: 4G, 5G, Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, Gain: 35.2dB, Current - Supply: 121mA, Noise Figure: 3.1dB, P1dB: 28.5dBm, Supplier Device Package: PG-TSNP-16-13.
Weitere Produktangebote BGAP2D30AE6327XTSA1 nach Preis ab 5.53 EUR bis 10.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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| BGAP2D30AE6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: WIRELESS INFRASTRUCTURE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.3GHz ~ 4.2GHz RF Type: 4G, 5G Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Gain: 35.2dB Current - Supply: 121mA Noise Figure: 3.1dB P1dB: 28.5dBm Supplier Device Package: PG-TSNP-16-13 |
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| BGAP2D30AE6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Driver Amplifier |
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