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BGAP2S30AE6327XTSA1

BGAP2S30AE6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BGAP2S30A-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4599e5f10288
Hersteller: Infineon Technologies
Description: WIRELESS INFRASTRUCTURE
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-TSNP-16-13
Test Frequency: 3.6GHz
P1dB: 28.5dBm
Noise Figure: 3.2dB
Current - Supply: 121mA
Gain: 35dB
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
RF Type: 4G, 5G
Frequency: 3.3GHz ~ 4.2GHz
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Technische Details BGAP2S30AE6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: WIRELESS INFRASTRUCTURE, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 16-WFDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: PG-TSNP-16-13, Test Frequency: 3.6GHz, P1dB: 28.5dBm, Noise Figure: 3.2dB, Current - Supply: 121mA, Gain: 35dB, Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, RF Type: 4G, 5G, Frequency: 3.3GHz ~ 4.2GHz.

Weitere Produktangebote BGAP2S30AE6327XTSA1 nach Preis ab 6.03 EUR bis 13.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BGAP2S30AE6327XTSA1 BGAP2S30AE6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BGAP2S30A_DataSheet_v01_01_EN.pdf RF Amplifier WIRELESS INFRASTRUCTURE
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BGAP2S30AE6327XTSA1 BGAP2S30AE6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BGAP2S30A-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4599e5f10288 Description: WIRELESS INFRASTRUCTURE
Supplier Device Package: PG-TSNP-16-13
Test Frequency: 3.6GHz
P1dB: 28.5dBm
Noise Figure: 3.2dB
Current - Supply: 121mA
Gain: 35dB
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
RF Type: 4G, 5G
Frequency: 3.3GHz ~ 4.2GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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RF Amplifier WIRELESS INFRASTRUCTURE
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Description: WIRELESS INFRASTRUCTURE
Supplier Device Package: PG-TSNP-16-13
Test Frequency: 3.6GHz
P1dB: 28.5dBm
Noise Figure: 3.2dB
Current - Supply: 121mA
Gain: 35dB
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
RF Type: 4G, 5G
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Package / Case: 16-WFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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