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BGH40N120HS1

BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR

Hersteller: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.14 EUR
8+10.05 EUR
10+8.88 EUR
30+7.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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Technische Details BGH40N120HS1 BASiC SEMICONDUCTOR

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench, Case: TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Collector current: 40A, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BGH40N120HS1 BGH40N120HS1 Hersteller : BASiC SEMICONDUCTOR Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
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