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BGR 420 H6327

BGR 420 H6327 Infineon Technologies

bgr420-56558.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
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Technische Details BGR 420 H6327 Infineon Technologies

Description: BIASED LOW NOISE RF TRANSISTOR, Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 13V, Current - Collector (Ic) (Max): 25mA, Power - Max: 120mW, Gain: 26dB, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Packaging: Bulk, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BGR420H6327 Infineon Technologies INFNS15355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIASED LOW NOISE RF TRANSISTOR
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 13V
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Power - Max: 120mW
Gain: 26dB
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Mindestbestellmenge: 1598 Stücke
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BGR420H6327 INFNS15355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: BIASED LOW NOISE RF TRANSISTOR
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 13V
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Power - Max: 120mW
Gain: 26dB
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
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Part Status: Active
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