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BGSF110GN26E6327XTSA1

BGSF110GN26E6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BGSF110GN26-DS-v01_03-en-1225421.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
RF Switch ICs CMOS SWITCH
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Technische Details BGSF110GN26E6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: IC RF SWITCH SP10T 3.8GHZ TSNP26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 26-WFQFN Exposed Pad, Impedance: 50Ohm, Mounting Type: Surface Mount, Circuit: SP10T, RF Type: GSM, LTE, W-CDMA, Operating Temperature: -30°C ~ 85°C, Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.3V, Insertion Loss: 1.3dB, Frequency Range: 100MHz ~ 3.8GHz, Test Frequency: 3GHz, Isolation: 40dB, Supplier Device Package: PG-TSNP-26-2.

Weitere Produktangebote BGSF110GN26E6327XTSA1 nach Preis ab 2.98 EUR bis 2.98 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BGSF110GN26E6327XTSA1 ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-BGSF110GN26-DS-v01_03-en.pdf?fileId=db3a30433ea3aef6013ea848e89e07b1 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BGSF110GN26E6327XTSA1 - BGSF 110GN26 E6327 - MULTI CHIP MODULE
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
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