BGSF110GN26E6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BGSF110GN26E6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP10T 3.8GHZ TSNP26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 26-WFQFN Exposed Pad, Impedance: 50Ohm, Mounting Type: Surface Mount, Circuit: SP10T, RF Type: GSM, LTE, W-CDMA, Operating Temperature: -30°C ~ 85°C, Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.3V, Insertion Loss: 1.3dB, Frequency Range: 100MHz ~ 3.8GHz, Test Frequency: 3GHz, Isolation: 40dB, Supplier Device Package: PG-TSNP-26-2.
Weitere Produktangebote BGSF110GN26E6327XTSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| BGSF110GN26E6327XTSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BGSF110GN26E6327XTSA1 - BGSF 110GN26 E6327 - MULTI CHIP MODULEtariffCode: 85423990 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BGSF110GN26E6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Switch SP10T 100MHz to 3.8GHz 19dB 26-Pin TSNP EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BGSF110GN26E6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC RF SWITCH SP10T 3.8GHZ TSNP26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 26-WFQFN Exposed Pad Impedance: 50Ohm Mounting Type: Surface Mount Circuit: SP10T RF Type: GSM, LTE, W-CDMA Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.3V Insertion Loss: 1.3dB Frequency Range: 100MHz ~ 3.8GHz Test Frequency: 3GHz Isolation: 40dB Supplier Device Package: PG-TSNP-26-2 |
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