BLP7G22-10,135 NXP Semiconductors
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Technische Details BLP7G22-10,135 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V 12HVSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 700MHz ~ 2.2GHz, Power - Output: 2W, Gain: 27dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: 12-HVSON (4x6), Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 110 mA.
Weitere Produktangebote BLP7G22-10,135
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| BLP7G22-10,135 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF MOSFET N-CH 65V 12-Pin HVSON EP T/R |
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| BLP7G22-10,135 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V 12HVSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 700MHz ~ 2.2GHz Power - Output: 2W Gain: 27dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 12-HVSON (4x6) Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 110 mA |
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