BM3G007MUV-LBE2 ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 12ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 25.09 EUR |
| 25+ | 19.97 EUR |
| 50+ | 18.36 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BM3G007MUV-LBE2 ROHM
Description: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP, Eingang: Nicht invertierend, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 6.25V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 46Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 30V, Eingabeverzögerung: 12ns, Ausgabeverzögerung: 15ns, Betriebstemperatur, max.: 105°C.
Weitere Produktangebote BM3G007MUV-LBE2 nach Preis ab 17.22 EUR bis 45.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BM3G007MUV-LBE2 | Rohm Semiconductor |
Description: NANO CAP, ECOGAN, 650V 70M 2MHZ, Features: Power Good, Slew Rate Controlled Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 46-VFQFN Exposed Pad Output Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Number of Outputs: 1 Switch Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Output Configuration: Low Side Rds On (Typ): 70mOhm Input Type: Non-Inverting Voltage - Load: 650V Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 6.25V ~ 30V Ratio - Input:Output: 1:1 Supplier Device Package: VQFN046V8080 Fault Protection: Over Temperature, UVLO |
auf Bestellung 868 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
BM3G007MUV-LBE2 | ROHM |
Description: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP Eingang: Nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 6.25V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 46Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 30V Eingabeverzögerung: 12ns Ausgabeverzögerung: 15ns Betriebstemperatur, max.: 105°C |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
BM3G007MUV-LBE2 | ROHM Semiconductor |
MOSFET GAN HEMT PWR STAGE IC |
auf Bestellung 1057 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| BM3G007MUV-LBE2 |
|
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NANO CAP, ECOGAN, 650V 70M 2MHZ,
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 46-VFQFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 6.25V ~ 30V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: VQFN046V8080
Fault Protection: Over Temperature, UVLO
Description: NANO CAP, ECOGAN, 650V 70M 2MHZ,
Features: Power Good, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 46-VFQFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Number of Outputs: 1
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 650V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 6.25V ~ 30V
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: VQFN046V8080
Fault Protection: Over Temperature, UVLO
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 27.01 EUR |
| 10+ | 21.36 EUR |
| 25+ | 19.94 EUR |
| 100+ | 18.4 EUR |
| 250+ | 17.66 EUR |
| 500+ | 17.22 EUR |
| BM3G007MUV-LBE2 |
|
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 12ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Description: ROHM - BM3G007MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 6.25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 46Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 30V
Eingabeverzögerung: 12ns
Ausgabeverzögerung: 15ns
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 34.49 EUR |
| 10+ | 25.09 EUR |
| 25+ | 19.97 EUR |
| 50+ | 18.36 EUR |
| BM3G007MUV-LBE2 |
|
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET GAN HEMT PWR STAGE IC
MOSFET GAN HEMT PWR STAGE IC
auf Bestellung 1057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 45.49 EUR |
| 10+ | 40.42 EUR |
| 25+ | 39.16 EUR |
| 1000+ | 34.16 EUR |