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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 21.17 EUR |
| 10+ | 18.66 EUR |
| 25+ | 18.15 EUR |
| 50+ | 17.16 EUR |
| 100+ | 16.14 EUR |
| 250+ | 15.86 EUR |
| 1000+ | 13.46 EUR |
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Technische Details BM3G015MUV-LBE2 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: -, Treiberkonfiguration: -, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP, Eingang: Nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: -, Versorgungsspannung, min.: 6.25V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 46Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 30V, Eingabeverzögerung: 11ns, Ausgabeverzögerung: 15ns, Betriebstemperatur, max.: 105°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote BM3G015MUV-LBE2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BM3G015MUV-LBE2 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EPtariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 6.25V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 46Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 30V Eingabeverzögerung: 11ns Ausgabeverzögerung: 15ns Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: To Be Advised |
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BM3G015MUV-LBE2 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BM3G015MUV-LBE2 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, GaN HEMT, MOSFET, 46 Pin(s), VQFN-EP tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: - rohsCompliant: YES Leistungsschalter: GaN HEMT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 6.25V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 46Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 30V Eingabeverzögerung: 11ns Ausgabeverzögerung: 15ns Betriebstemperatur, max.: 105°C SVHC: To Be Advised |
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