Weitere Produktangebote BPW77NA nach Preis ab 2.74 EUR bis 8.29 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BPW77NA | Hersteller : Vishay | Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 3-Pin TO-206AA Bulk |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BPW77NA | Hersteller : Vishay | Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 3-Pin TO-206AA Bulk |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BPW77NA | Hersteller : Vishay Semiconductors | Phototransistors TO-18 450-1080nm +/-10 deg |
auf Bestellung 1208 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BPW77NA | Hersteller : Vishay Semiconductor Opto Division |
Description: PHOTOTRANSISTOR 450 TO 1080 NM Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Wavelength: 850nm Mounting Type: Through Hole Orientation: Top View Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Viewing Angle: 20° Current - Dark (Id) (Max): 100 nA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V Power - Max: 250 mW |
auf Bestellung 5491 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
BPW77NA | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - BPW77NA - Fototransistor, 850 nm, 10 °, 250 mW, 3 Pin(s), TO-18 tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Wellenlänge, typ.: 850nm Stromverbrauch: 250mW hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Abstrahlwinkel: 10° Bauform - Transistor: TO-18 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code |
auf Bestellung 820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
BPW77NA | Hersteller : Vishay | Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 3-Pin TO-206AA Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
BPW77NA | Hersteller : Vishay | Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 3-Pin TO-206AA Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
BPW77NA | Hersteller : VISHAY |
Category: Phototransistors Description: Phototransistor; 850nm; 70V; 20°; Lens: transparent Type of photoelement: phototransistor Wavelength of peak sensitivity: 850nm Collector-emitter voltage: 70V Viewing angle: 20° LED lens: transparent Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
BPW77NA | Hersteller : VISHAY |
Category: Phototransistors Description: Phototransistor; 850nm; 70V; 20°; Lens: transparent Type of photoelement: phototransistor Wavelength of peak sensitivity: 850nm Collector-emitter voltage: 70V Viewing angle: 20° LED lens: transparent Mounting: THT |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
BP104 Produktcode: 30779 |
Hersteller: Vishay
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 60
Spektrum 0.5, nm: 870-1050
Spektrum Pik, nm: 950
Zusätzlich: Photodiode
Тип: Фотодіод
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 60
Spektrum 0.5, nm: 870-1050
Spektrum Pik, nm: 950
Zusätzlich: Photodiode
Тип: Фотодіод
auf Bestellung 68 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.33 EUR |
SFH229 Produktcode: 28174 |
Hersteller: Siemens
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 20
Spektrum 0.5, nm: 380-1100
Spektrum Pik, nm: 860
ton/tof, mks: 0,01/0,01
Zusätzlich: Photodiode, transparent Linse, 3 mm
Тип: Фотодіод
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 20
Spektrum 0.5, nm: 380-1100
Spektrum Pik, nm: 860
ton/tof, mks: 0,01/0,01
Zusätzlich: Photodiode, transparent Linse, 3 mm
Тип: Фотодіод
auf Bestellung 21 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 100 Stück:
100 Stück - erwartetBPW34 Produktcode: 25387 |
Hersteller: Vishay
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 60
Spektrum 0.5, nm: 430-1100
Spektrum Pik, nm: 900
ton/tof, mks: 0,1/0,1
Zusätzlich: Photodiode, DIP-2
Тип: Фотодіод
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 60
Spektrum 0.5, nm: 430-1100
Spektrum Pik, nm: 900
ton/tof, mks: 0,1/0,1
Zusätzlich: Photodiode, DIP-2
Тип: Фотодіод
auf Bestellung 104 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.72 EUR |
10+ | 0.68 EUR |
Photodiode GNL-5012PD d=5mm Produktcode: 17424 |
Hersteller: G-Nor
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 5
Spektrum 0.5, nm: 840-1200
Spektrum Pik, nm: 980
Ic, mA: 30
Zusätzlich: Photodiode
Тип: Фотодіод
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 5
Spektrum 0.5, nm: 840-1200
Spektrum Pik, nm: 980
Ic, mA: 30
Zusätzlich: Photodiode
Тип: Фотодіод
auf Bestellung 1204 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.2 EUR |
10+ | 0.18 EUR |
100+ | 0.16 EUR |
BPW40 Produktcode: 35989 |
Hersteller: Vishay
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 32
Spektrum 0.5, nm: 520-960
Spektrum Pik, nm: 780
Ic, mA: 6
ton/tof, mks: 1,6/1,7
Zusätzlich: Fototransistor, transparent Linse, 5 mm
Тип: Фототранзистор
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 32
Spektrum 0.5, nm: 520-960
Spektrum Pik, nm: 780
Ic, mA: 6
ton/tof, mks: 1,6/1,7
Zusätzlich: Fototransistor, transparent Linse, 5 mm
Тип: Фототранзистор
verfügbar: 39 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.45 EUR |