Technische Details BQ4011MA-100 TI
Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 256Kbit, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm), Packaging: Tube, Memory Organization: 32K x 8, Access Time: 100 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72), Memory Format: NVSRAM, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V.
Weitere Produktangebote BQ4011MA-100
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BQ4011MA-100 | Texas Instruments |
 Статическая память (SRAM), енергонезавис. (32k x 8 bit, 100ns, Vs=4.5-5.5V, , 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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BQ4011MA-100 | Texas Instruments |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Packaging: Tube Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72) Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V |
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| BQ4011MA-100 |
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Hersteller: Texas Instruments
Статическая память (SRAM), енергонезавис. (32k x 8 bit, 100ns, Vs=4.5-5.5V, , 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
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Статическая память (SRAM), енергонезавис. (32k x 8 bit, 100ns, Vs=4.5-5.5V, , 0 to +70C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шт
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| BQ4011MA-100 |
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Hersteller: Texas Instruments
Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Packaging: Tube
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 100 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V
Description: IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Packaging: Tube
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 100 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 28-DIP Module (18.42x37.72)
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.5V
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