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BS107P

BS107P Diodes Zetex

bs107p.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
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Technische Details BS107P Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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BS107P BS107P Hersteller : Diodes Zetex bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
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BS107P BS107P Hersteller : Diodes Zetex bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
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BS107P BS107P Hersteller : DIODES INCORPORATED BS107P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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BS107P BS107P Hersteller : DIODES/ZETEX TBS107_0108.pdf N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
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BS107P BS107P Hersteller : DIODES/ZETEX TBS107_0108.pdf N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BS107P BS107P Hersteller : Diodes Incorporated BS107P.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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4000+0.42 EUR
8000+0.32 EUR
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BS107P BS107P Hersteller : Diodes Incorporated BS107P.pdf MOSFETs N-Chnl 200V
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BS107P BS107P Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0009691565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BS107P BS107P Hersteller : Diodes Zetex bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
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BS107P Hersteller : Diodes BS107P.pdf N-кан. MOSFET 200V, 0.12A, 0.5Вт, 15 Ом, TO-92-3, Pbf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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