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BS107P

BS107P Diodes Zetex

bs107p.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
auf Bestellung 6687 Stücke:
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198+0.88 EUR
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Technische Details BS107P Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm.

Weitere Produktangebote BS107P nach Preis ab 0.39 EUR bis 4.97 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BS107P BS107P Diodes Zetex bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
auf Bestellung 6687 Stücke:
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149+1.18 EUR
198+0.84 EUR
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145+1.2 EUR
220+0.79 EUR
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Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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BS107P BS107P DIODES INCORPORATED BS107P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.33 EUR
94+0.9 EUR
108+0.79 EUR
131+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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BS107P BS107P DIODES/ZETEX TBS107_0108.pdf N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
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50+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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BS107P BS107P DIODES/ZETEX TBS107_0108.pdf N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BS107P BS107P Diodes Zetex bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
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BS107P BS107P Diodes Incorporated BS107P.pdf MOSFETs N-Chnl 200V
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2+2.39 EUR
10+1.5 EUR
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BS107P BS107P Diodes Incorporated BS107P.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 419 Stücke:
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9+2.45 EUR
14+1.54 EUR
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BS107P BS107P DIODES INC. DIOD-S-A0009691565-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
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51+4.97 EUR
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500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
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BS107P BS107P Diodes Zetex bs107p.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
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BS107P
Hersteller: Diodes Zetex
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auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
145+1.2 EUR
220+0.79 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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BS107P
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
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94+0.9 EUR
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BS107P
Hersteller: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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BS107P TBS107_0108.pdf
BS107P
Hersteller: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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BS107P
Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
93+1.88 EUR
146+1.15 EUR
221+0.74 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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MOSFETs N-Chnl 200V
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10+1.5 EUR
100+0.99 EUR
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
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99+2.37 EUR
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