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Technische Details BS107P Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm.
Weitere Produktangebote BS107P nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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BS107P | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V |
auf Bestellung 29768 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS107P | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.12A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3348 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS107P | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.12A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 3348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS107P | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Chnl 200V |
auf Bestellung 13394 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BS107P | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm |
auf Bestellung 2248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BS107P | Hersteller : DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS107P | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BS107P | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line |
Produkt ist nicht verfügbar |