Technische Details BS107P Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm.
Weitere Produktangebote BS107P nach Preis ab 0.44 EUR bis 5.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BS107P | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line |
auf Bestellung 6687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS107P | DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.12A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 451 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS107P | DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS107P | DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BS107P | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Chnl 200V |
auf Bestellung 7156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS107P | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92 Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk |
auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BS107P | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, DurchsteckmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm |
auf Bestellung 2360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BS107P | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BS107P |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
auf Bestellung 6687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 149+ | 1.15 EUR |
| 198+ | 0.84 EUR |
| 200+ | 0.8 EUR |
| 206+ | 0.75 EUR |
| 331+ | 0.44 EUR |
| BS107P |
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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 1.33 EUR |
| 94+ | 0.9 EUR |
| 108+ | 0.79 EUR |
| 131+ | 0.65 EUR |
| BS107P |
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Hersteller: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.58 EUR |
| BS107P |
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Hersteller: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 1.58 EUR |
| BS107P |
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Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Chnl 200V
MOSFETs N-Chnl 200V
auf Bestellung 7156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.39 EUR |
| 10+ | 1.5 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| BS107P |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.76 EUR |
| 13+ | 1.74 EUR |
| 25+ | 1.46 EUR |
| 50+ | 1.3 EUR |
| 100+ | 1.14 EUR |
| BS107P |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
Description: DIODES INC. - BS107P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 mA, 30 ohm, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 30ohm
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 5.07 EUR |
| 102+ | 2.28 EUR |
| 145+ | 1.49 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 1.08 EUR |
| BS107P |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)






