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BSB028N06NN3GXUMA1

BSB028N06NN3GXUMA1 INFINEON

INFNS30292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.38 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details BSB028N06NN3GXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: WDSON, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote BSB028N06NN3GXUMA1 nach Preis ab 2.31 EUR bis 8.68 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSB028N06NN3GXUMA1 BSB028N06NN3GXUMA1 Infineon Technologies BSB028N06NN3_Rev+1.4.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30432e25b009012e29fda4e23838 Description: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.06 EUR
10+4.62 EUR
100+3.22 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.44 EUR
2000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSB028N06NN3GXUMA1 BSB028N06NN3GXUMA1 INFINEON INFNS30292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.68 EUR
45+5.25 EUR
100+3.38 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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BSB028N06NN3GXUMA1 BSB028N06NN3_Rev+1.4.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30432e25b009012e29fda4e23838
BSB028N06NN3GXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MG-WDSON-2, CanPAK M™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 102µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-WDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6668 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.06 EUR
10+4.62 EUR
100+3.22 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.44 EUR
2000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSB028N06NN3GXUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0028 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+8.68 EUR
45+5.25 EUR
100+3.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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