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BSC007N04LS6ATMA1


Infineon-BSC007N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bcd9a63a4815
Produktcode: 161378
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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC007N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bcd9a63a4815 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
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BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsc007n04ls6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
63+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 63
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BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC007N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bcd9a63a4815 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 381A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
auf Bestellung 6154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.04 EUR
10+2.48 EUR
100+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsc007n04ls6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
47+3.1 EUR
53+2.68 EUR
100+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 47
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BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC007N04LS6_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 2152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.58 EUR
10+4.14 EUR
100+3.2 EUR
500+2.75 EUR
2500+2.64 EUR
5000+2.55 EUR
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BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsc007n04ls6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsc007n04ls6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 Hersteller : INFINEON 2792913.pdf Description: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 Hersteller : INFINEON 2792913.pdf Description: INFINEON - BSC007N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 620 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsc007n04ls6datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 48A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC007N04LS6ATMA1 BSC007N04LS6ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC007N04LS6ATMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 138W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 138W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of package: reel; tape
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