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BSC009N04LSSCATMA1

BSC009N04LSSCATMA1 Infineon Technologies

infineonbsc009n04lsscdatasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin WSON EP T/R
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Technische Details BSC009N04LSSCATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 301A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 167W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC009N04LSSCATMA1 BSC009N04LSSCATMA1 INFINEON Infineon-BSC009N04LSSC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d4cadb130ebc Description: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage
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Produktpalette: OptiMOS Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
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BSC009N04LSSCATMA1 BSC009N04LSSCATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC009N04LSSC_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
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Hersteller: INFINEON
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC009N04LSSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 301 A, 940 µohm, WSON, Oberflächenmontage
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