Weitere Produktangebote BSC009NE2LS5ATMA1 nach Preis ab 1.21 EUR bis 6.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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BSC009NE2LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC009NE2LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC009NE2LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC009NE2LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET LV POWER MOS |
auf Bestellung 14966 Stücke: Lieferzeit 991-995 Tag (e) |
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BSC009NE2LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V |
auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC009NE2LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 14691 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC009NE2LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 16682 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC009NE2LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 16682 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC009NE2LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC009NE2LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC009NE2LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSC009NE2LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A On-state resistance: 0.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 74W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC009NE2LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSC009NE2LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A On-state resistance: 0.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 74W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 |
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