Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > BSC009NE2LS5ATMA1

BSC009NE2LS5ATMA1

Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310
Produktcode: 173879
Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
erwartet 6 Stück:
6 Stück - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote BSC009NE2LS5ATMA1 nach Preis ab 0.95 EUR bis 3.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310 Description: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 11891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+2.98 EUR
71+1.98 EUR
100+1.82 EUR
200+1.29 EUR
500+1.16 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs LV POWER MOS
auf Bestellung 5788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.34 EUR
10+2.06 EUR
100+1.54 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.23 EUR
5000+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC009NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c096c7c152310 Description: MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 12 V
auf Bestellung 14935 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.43 EUR
10+2.16 EUR
100+1.59 EUR
500+1.28 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0000320910-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0000320910-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC009NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 116infineon-bsc009ne2ls5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c0.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc009ne2ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC009NE2LS5ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2253B0CCE411C&compId=BSC009NE2LS5-DTE.pdf?ci_sign=cc7dc6f544cdea8ffdc22bc994ff5b04e5a9b00b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH