BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V.
Weitere Produktangebote BSC009NE2LS5IATMA1 nach Preis ab 1.4 EUR bis 6.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET LV POWER MOS |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm |
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| BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 40 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 74; PG-TDSON-8 |
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BSC009NE2LS5IATMA1 Produktcode: 195332 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A On-state resistance: 0.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 74W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A On-state resistance: 0.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 74W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 |
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