BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V
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Technische Details BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSC009NE2LS5IATMA1 nach Preis ab 1.03 EUR bis 4.12 EUR
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
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Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
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Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs LV POWER MOS |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 12622 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
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| BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 40 А; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12; Qg, нКл = 49 @ 10 В; Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Id2 = 100 A; Ptot2, Вт = 74; PG-TDSON-8 |
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BSC009NE2LS5IATMA1 Produktcode: 195332
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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