Weitere Produktangebote BSC009NE2LS5IATMA1 nach Preis ab 1.04 EUR bis 4.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 10074 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs LV POWER MOS |
auf Bestellung 21515 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V |
auf Bestellung 2134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2211 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC009NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 950 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2211 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 40 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12, Qg, нКл = 49 @ 10 В, Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 74,... Група товару: Тран Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
verfügbar 1978 Stücke: |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 40A/217A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 217A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 12 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC009NE2LS5IATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |