BSC009NE2LSATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V
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| Anzahl | Preis |
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| 5000+ | 1.06 EUR |
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Technische Details BSC009NE2LSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSC009NE2LSATMA1 nach Preis ab 1.09 EUR bis 3.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSC009NE2LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC009NE2LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC009NE2LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC009NE2LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS |
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BSC009NE2LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 12 V |
auf Bestellung 48686 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC009NE2LSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 31576 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC009NE2LSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC009NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSC009NE2LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC009NE2LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC009NE2LSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC009NE2LSATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC009NE2LSATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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