Weitere Produktangebote BSC010N04LS6ATMA1 nach Preis ab 0.97 EUR bis 4.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSC010N04LS6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC010N04LS6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC010N04LS6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC010N04LS6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSC010N04LS6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 9743 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC010N04LS6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V |
auf Bestellung 7781 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC010N04LS6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 40V |
auf Bestellung 12971 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC010N04LS6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
BSC010N04LS6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8045 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| BSC010N04LS6ATMA1 | Hersteller : Infineon |
MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
|
|
BSC010N04LS6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
BSC010N04LS6ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: PG-TDSON-8 FL On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Gate charge: 67nC |
Produkt ist nicht verfügbar |