Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > BSC010N04LS6ATMA1

BSC010N04LS6ATMA1

Infineon-BSC010N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd076e184818
Produktcode: 192753
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote BSC010N04LS6ATMA1 nach Preis ab 1.14 EUR bis 5.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 INFINEON 2792914.pdf Description: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 6610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.57 EUR
250+2.3 EUR
1000+1.73 EUR
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.38 EUR
59+2.87 EUR
100+1.99 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.4 EUR
2500+1.23 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.38 EUR
59+2.94 EUR
100+2.07 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.37 EUR
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC010N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd076e184818 Description: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
auf Bestellung 5578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.41 EUR
10+2.83 EUR
100+1.93 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC010N04LS6-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 3257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.24 EUR
10+3.22 EUR
100+2.31 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.74 EUR
2500+1.64 EUR
5000+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 INFINEON 2792914.pdf Description: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 6610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.77 EUR
65+3.57 EUR
250+2.3 EUR
1000+1.73 EUR
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1 infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1 infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1 2792914.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 6610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.57 EUR
250+2.3 EUR
1000+1.73 EUR
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1 infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+4.38 EUR
59+2.87 EUR
100+1.99 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.4 EUR
2500+1.23 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1 infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9743 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+4.38 EUR
59+2.94 EUR
100+2.07 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.37 EUR
5000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1 Infineon-BSC010N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd076e184818
BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
auf Bestellung 5578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.41 EUR
10+2.83 EUR
100+1.93 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1 Infineon-BSC010N04LS6-DataSheet-v02_03-EN.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
auf Bestellung 3257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.24 EUR
10+3.22 EUR
100+2.31 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.74 EUR
2500+1.64 EUR
5000+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC010N04LS6ATMA1 2792914.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 6610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
44+5.77 EUR
65+3.57 EUR
250+2.3 EUR
1000+1.73 EUR
3000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH