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BSC010N04LS6ATMA1

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Produktcode: 192753
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC010N04LS6-DataSheet-v02_03-EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
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10+2.55 EUR
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BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC010N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd076e184818 Description: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
auf Bestellung 6259 Stücke:
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4+4.8 EUR
10+3.1 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
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BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 INFINEON 2792914.pdf Description: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7810 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSC010N04LS6ATMA1 BSC010N04LS6ATMA1 INFINEON 2792914.pdf Description: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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5000+1.09 EUR
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BSC010N04LS6ATMA1 infineonbsc010n04ls6datasheetv0203en.pdf
BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TDSON EP T/R
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55+2.69 EUR
100+1.84 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
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1+4.14 EUR
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1000+1.36 EUR
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BSC010N04LS6ATMA1 Infineon-BSC010N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd076e184818
BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
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Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 20 V
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BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSC010N04LS6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 890µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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