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BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies


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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Technische Details BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 139W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc010n04ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc010n04ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+2.45 EUR
500+2.19 EUR
1000+1.96 EUR
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BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263095-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 49044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.52 EUR
250+2.23 EUR
1000+1.89 EUR
3000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc010n04ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1999 Stücke:
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37+4.76 EUR
60+2.81 EUR
61+2.65 EUR
62+2.52 EUR
100+1.93 EUR
250+1.82 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4 Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 22208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.51 EUR
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BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263095-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 49044 Stücke:
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45+5.59 EUR
66+3.52 EUR
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BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC010N04LS_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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500+2.19 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
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auf Bestellung 1999 Stücke:
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100+1.93 EUR
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1000+1.25 EUR
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BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 22208 Stücke:
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 49044 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
45+5.59 EUR
66+3.52 EUR
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1000+1.89 EUR
3000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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1+5.68 EUR
10+3.53 EUR
100+2.59 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.95 EUR
5000+1.62 EUR
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