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BSC010N04LSATMA1

BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies

BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.15 EUR
15000+1.08 EUR
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Technische Details BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 139W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm.

Weitere Produktangebote BSC010N04LSATMA1 nach Preis ab 1.07 EUR bis 5.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc010n04ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
372+1.75 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 372 Stücke
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BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263095-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 48439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
250+1.95 EUR
1000+1.67 EUR
3000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc010n04ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.71 EUR
69+2.49 EUR
70+2.4 EUR
71+2.33 EUR
100+1.64 EUR
250+1.55 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc010n04ls-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.71 EUR
69+2.43 EUR
70+2.32 EUR
71+2.21 EUR
100+1.52 EUR
250+1.39 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC010N04LS_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
auf Bestellung 48955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.21 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.31 EUR
2500+1.29 EUR
5000+1.25 EUR
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BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4 Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 21917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
10+2.75 EUR
50+2.08 EUR
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BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263095-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
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47+5.34 EUR
73+3.2 EUR
250+2.01 EUR
1000+1.52 EUR
3000+1.5 EUR
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Trans MOSFET N-CH 40V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
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500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 372 Stücke
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BSC010N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
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69+2.43 EUR
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100+1.52 EUR
250+1.39 EUR
500+1.13 EUR
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MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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AnzahlPrivatkunde
1+4.21 EUR
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100+1.83 EUR
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1000+1.31 EUR
2500+1.29 EUR
5000+1.25 EUR
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BSC010N04LSATMA1 BSC010N04LS_rev1+1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552c1c63647c4
BSC010N04LSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
auf Bestellung 21917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.3 EUR
10+2.75 EUR
50+2.08 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSC010N04LSATMA1 INFN-S-A0002263095-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC010N04LSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC010N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 139W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 48179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+5.34 EUR
73+3.2 EUR
250+2.01 EUR
1000+1.52 EUR
3000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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