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BSC010NE2LSATMA1

BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies


BSC010NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb3d176a3f1b Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
auf Bestellung 10000 Stücke:

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Technische Details BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC010NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb3d176a3f1b Description: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
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BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC010NE2LS_DataSheet_v02_04_EN-3360662.pdf MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 15957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Hersteller : INFINEON BSC010NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb3d176a3f1b Description: INFINEON - BSC010NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 16505 Stücke:
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BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc010ne2ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010NE2LSATMA1 Hersteller : Infineon BSC010NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb3d176a3f1b N-MOSFET 25V 100A BSC010NE2LSATMA1 Infineon TBSC010ne2ls
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc010ne2ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD29AC7BFD011C&compId=BSC010NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=4037dffe638488c62f3a77b32205acbf9b96de48 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0DD29AC7BFD011C&compId=BSC010NE2LS-DTE.pdf?ci_sign=4037dffe638488c62f3a77b32205acbf9b96de48 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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