Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC011N03LSIATMA1
BSC011N03LSIATMA1

BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies

BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSC011N03LSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote BSC011N03LSIATMA1 nach Preis ab 0.94 EUR bis 3.19 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
111+1.34 EUR
113+1.27 EUR
115+1.20 EUR
Mindestbestellmenge: 111
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
91+1.63 EUR
99+1.45 EUR
102+1.35 EUR
111+1.20 EUR
250+1.11 EUR
500+1.00 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc011n03lsi-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
91+1.63 EUR
99+1.45 EUR
102+1.35 EUR
111+1.20 EUR
250+1.11 EUR
500+1.00 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC011N03LSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013097dfdcc22f66 Description: MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
auf Bestellung 21168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.19 EUR
10+2.03 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS27880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS27880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC011N03LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 3725bsc011n03lsi_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 3725bsc011n03lsi_rev2.2.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 37A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2520F0C19C11C&compId=BSC011N03LSI-DTE.pdf?ci_sign=03f69ceb77307fa7fb2c04624043f8eedeb8807d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC011N03LSI_DataSheet_v02_04_EN-3160493.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2520F0C19C11C&compId=BSC011N03LSI-DTE.pdf?ci_sign=03f69ceb77307fa7fb2c04624043f8eedeb8807d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH