BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSC014N04LSIATMA1 nach Preis ab 1.24 EUR bis 7.1 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSC014N04LSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC014N04LSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V |
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BSC014N04LSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC014N04LSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC014N04LSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 2560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC014N04LSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V |
auf Bestellung 72091 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC014N04LSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS |
auf Bestellung 100544 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BSC014N04LSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 3765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC014N04LSIATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm |
auf Bestellung 39700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC014N04LSIATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm |
auf Bestellung 39700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC014N04LSIATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC014N04LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC014N04LSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC014N04LSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC014N04LSIATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 1.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC014N04LSIATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 1.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 96W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 |
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