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BSC014N06NSATMA1

BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies

BSC014N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043382e837301386ab95a521dcd
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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5000+1.71 EUR
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Technische Details BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 156W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm.

Weitere Produktangebote BSC014N06NSATMA1 nach Preis ab 2.09 EUR bis 11.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n06ns-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 18630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.87 EUR
52+3.3 EUR
100+3.08 EUR
200+2.99 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC014N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043382e837301386ab95a521dcd Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 67757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
10+3.87 EUR
100+2.68 EUR
500+2.17 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 INFINEON 3770723.pdf Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
auf Bestellung 18504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.66 EUR
250+4.45 EUR
1000+3.83 EUR
3000+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC014N06NS_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
auf Bestellung 3331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.21 EUR
10+6.07 EUR
100+4.44 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.58 EUR
2500+3.45 EUR
5000+3.17 EUR
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BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 INFINEON 3770723.pdf Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
auf Bestellung 18504 Stücke:
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23+11.09 EUR
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BSC014N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC014N06NS-Infineon.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 156,... Транзистори Кор
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 887 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
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52+3.3 EUR
100+3.08 EUR
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1000+2.55 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TDSON-8-17
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
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Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
auf Bestellung 18504 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+6.66 EUR
250+4.45 EUR
1000+3.83 EUR
3000+3.7 EUR
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MOSFETs N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
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10+6.07 EUR
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500+3.75 EUR
1000+3.58 EUR
2500+3.45 EUR
5000+3.17 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1450 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Dauer-Drainstrom Id: 100A
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 156W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1450µohm
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50+6.66 EUR
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N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 156,... Транзистори Кор
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