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BSC015NE2LS5IATMA1

BSC015NE2LS5IATMA1 INFINEON

Infineon-BSC015NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f3bdacb5c1b44
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC015NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.93 EUR
130+1.78 EUR
169+1.27 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
5000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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Technische Details BSC015NE2LS5IATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSC015NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 50W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BSC015NE2LS5IATMA1 nach Preis ab 0.99 EUR bis 3.47 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC015NE2LS5IATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1 INFINEON Infineon-BSC015NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f3bdacb5c1b44 Description: INFINEON - BSC015NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
130+1.78 EUR
169+1.27 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
5000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC015NE2LS5IATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC015NE2LS5I_DataSheet_v02_01_EN-3160463.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 12712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.09 EUR
10+2.75 EUR
100+2.23 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC015NE2LS5IATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC015NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f3bdacb5c1b44 Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
auf Bestellung 160 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
10+2.21 EUR
100+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BSC015NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC015NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f3bdacb5c1b44 Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.88 EUR
68+2.49 EUR
69+2.37 EUR
100+1.81 EUR
250+1.71 EUR
500+1.39 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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BSC015NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC015NE2LS5I-DataSheet-v02_01-EN.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 12, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 1,5 @ 30 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 50, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 79 Stücke:
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BSC015NE2LS5IATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC015NE2LS5IATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 9875 Stücke:
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130+1.78 EUR
169+1.27 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
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10+2.75 EUR
100+2.23 EUR
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1000+1.48 EUR
2500+1.36 EUR
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Description: MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
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Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.47 EUR
10+2.21 EUR
100+1.49 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+2.88 EUR
68+2.49 EUR
69+2.37 EUR
100+1.81 EUR
250+1.71 EUR
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1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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BSC015NE2LS5IATMA1 Infineon-BSC015NE2LS5I-DataSheet-v02_01-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 12, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 1,5 @ 30 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 50, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 79 Stücke:
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