BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V
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| Anzahl | Preis |
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| 5000+ | 1.48 EUR |
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Technische Details BSC016N06NSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSC016N06NSATMA1 nach Preis ab 1.48 EUR bis 3.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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BSC016N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC016N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC016N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 65000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC016N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 35403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC016N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 30 V |
auf Bestellung 16418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC016N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS |
auf Bestellung 10440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC016N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC016N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC016N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC016N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC016N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC016N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC016N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC016N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 139W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC016N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 139W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
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