BSC016N06NSSCATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R

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38+	3.79 EUR
49+	2.84 EUR
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Technische Details BSC016N06NSSCATMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis
	BSC016N06NSSCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R	auf Bestellung 7945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis 38+ 3.79 EUR 49+ 2.84 EUR 100+ 2.15 EUR 500+ 1.9 EUR 4000+ 1.61 EUR Mindestbestellmenge: 38 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	BSC016N06NSSCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V	auf Bestellung 1776 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis 3+ 6.14 EUR 10+ 4.03 EUR 100+ 2.83 EUR 500+ 2.55 EUR Mindestbestellmenge: 3 kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	BSC016N06NSSCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin WSON EP T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	BSC016N06NSSCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	SP005346690	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	BSC016N06NSSCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V PG-WSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 234A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
	BSC016N06NSSCATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFETs TRENCH 40<-<100V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH