Weitere Produktangebote BSC016N06NSTATMA1 nach Preis ab 1.95 EUR bis 6.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BSC016N06NSTATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC016N06NSTATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC016N06NSTATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC016N06NSTATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 6770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC016N06NSTATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
auf Bestellung 10176 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC016N06NSTATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V |
auf Bestellung 4125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC016N06NSTATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC016N06NSTATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5039 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC016N06NSTATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 FL; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 FL On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: MOSFET Electrical mounting: SMT Gate-source voltage: 20V |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC016N06NSTATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC016N06NSTATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSC016N06NSTATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 FL Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 FL On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |