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BSC016N06NSTATMA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e Description: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.32 EUR
10000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc016n06nstdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc016n06nstdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc016n06nstdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 6770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+2.81 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
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BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e Description: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 13615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.8 EUR
10+3.08 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC016N06NST-DataSheet-v02_02-EN.pdf MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+3.12 EUR
100+2.64 EUR
5000+1.43 EUR
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BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc016n06nstdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.07 EUR
42+4.15 EUR
100+2.95 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.48 EUR
2500+2.36 EUR
5000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 Infineon Technologies infineonbsc016n06nstdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.07 EUR
42+4.07 EUR
100+2.84 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.28 EUR
2500+2.12 EUR
5000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 INFINEON INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 5039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.13 EUR
250+4.15 EUR
1000+3.47 EUR
3000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 INFINEON INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 5039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.15 EUR
50+6.13 EUR
250+4.15 EUR
1000+3.47 EUR
3000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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BSC016N06NSTATMA1 Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e
BSC016N06NSTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.32 EUR
10000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC016N06NSTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC016N06NSTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC016N06NSTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 6770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
233+2.81 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
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BSC016N06NSTATMA1 Infineon-BSC016N06NST-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801605455cb0b2c6e
BSC016N06NSTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 30 V
auf Bestellung 13615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.8 EUR
10+3.08 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSC016N06NSTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.84 EUR
10+3.12 EUR
100+2.64 EUR
5000+1.43 EUR
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BSC016N06NSTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.07 EUR
42+4.15 EUR
100+2.95 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.48 EUR
2500+2.36 EUR
5000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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BSC016N06NSTATMA1 infineonbsc016n06nstdatasheetv0202en.pdf
BSC016N06NSTATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 8500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+6.07 EUR
42+4.07 EUR
100+2.84 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.28 EUR
2500+2.12 EUR
5000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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BSC016N06NSTATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 5039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+6.13 EUR
250+4.15 EUR
1000+3.47 EUR
3000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC016N06NSTATMA1 INFNS19732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC016N06NSTATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC016N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 1600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
auf Bestellung 5039 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10.15 EUR
50+6.13 EUR
250+4.15 EUR
1000+3.47 EUR
3000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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