BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSC018N04LSGATMA1 nach Preis ab 0.50 EUR bis 2.89 EUR
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BSC018N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC018N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V |
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BSC018N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC018N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC018N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC018N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V |
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BSC018N04LSGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSC018N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC018N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
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| BSC018N04LSGATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC018N04LSGATMA1 SMD N channel transistors |
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BSC018N04LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
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