BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.77 EUR |
| 10000+ | 0.73 EUR |
| 15000+ | 0.7 EUR |
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Technische Details BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm.
Weitere Produktangebote BSC018N04LSGATMA1 nach Preis ab 0.6 EUR bis 5.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BSC018N04LSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC018N04LSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC018N04LSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 1276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC018N04LSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 1276 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC018N04LSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 3745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC018N04LSGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V |
auf Bestellung 17582 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC018N04LSGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, PG-TDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm |
auf Bestellung 4912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC018N04LSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.79 EUR |
| BSC018N04LSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.79 EUR |
| BSC018N04LSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 185+ | 0.94 EUR |
| 187+ | 0.92 EUR |
| 203+ | 0.83 EUR |
| 250+ | 0.8 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| BSC018N04LSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 171+ | 1.02 EUR |
| 185+ | 0.9 EUR |
| 187+ | 0.87 EUR |
| 203+ | 0.76 EUR |
| 250+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| 1000+ | 0.6 EUR |
| BSC018N04LSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 461+ | 1.42 EUR |
| 512+ | 1.26 EUR |
| 1000+ | 1.13 EUR |
| BSC018N04LSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
auf Bestellung 17582 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.09 EUR |
| 11+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.31 EUR |
| 500+ | 1.02 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| 2000+ | 0.86 EUR |
| BSC018N04LSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
Description: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 4912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 5.07 EUR |
| 93+ | 2.51 EUR |
| 131+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.36 EUR |
| 1000+ | 1.27 EUR |




