Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC018N04LSGATMA1
BSC018N04LSGATMA1

BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies

BSC018N04LSG_rev1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a30431689f4420116c42d085d0808
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote BSC018N04LSGATMA1 nach Preis ab 0.5 EUR bis 2.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineonbsc018n04lsgdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
185+0.79 EUR
187+0.77 EUR
203+0.7 EUR
250+0.67 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineonbsc018n04lsgdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+0.86 EUR
185+0.76 EUR
187+0.73 EUR
203+0.64 EUR
250+0.61 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies infineonbsc018n04lsgdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
461+1.19 EUR
512+1.06 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 461 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC018N04LSG_rev1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a30431689f4420116c42d085d0808 Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
auf Bestellung 15029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.82 EUR
10+1.8 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 INFINEON INFNS29935-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1 infineonbsc018n04lsgdatasheetv0201en.pdf
BSC018N04LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
185+0.79 EUR
187+0.77 EUR
203+0.7 EUR
250+0.67 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1 infineonbsc018n04lsgdatasheetv0201en.pdf
BSC018N04LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
171+0.86 EUR
185+0.76 EUR
187+0.73 EUR
203+0.64 EUR
250+0.61 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1 infineonbsc018n04lsgdatasheetv0201en.pdf
BSC018N04LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
461+1.19 EUR
512+1.06 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 461 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSG_rev1.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a30431689f4420116c42d085d0808
BSC018N04LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
auf Bestellung 15029 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
7+2.82 EUR
10+1.8 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC018N04LSGATMA1 INFNS29935-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC018N04LSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC018N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1500 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH