Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC018NE2LSATMA1
BSC018NE2LSATMA1

BSC018NE2LSATMA1 Infineon Technologies

BSC018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca6b7736b2f40 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5000+0.9 EUR
10000+ 0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSC018NE2LSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V.

Weitere Produktangebote BSC018NE2LSATMA1 nach Preis ab 0.95 EUR bis 2.29 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca6b7736b2f40 Description: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
auf Bestellung 11357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+2.29 EUR
10+ 1.88 EUR
100+ 1.46 EUR
500+ 1.24 EUR
1000+ 1.01 EUR
2000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LSATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS27835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
auf Bestellung 3985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LSATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS27835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC018NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 153 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
auf Bestellung 3985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc018ne2ls-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)