BSC018NE2LSIATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V
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Technische Details BSC018NE2LSIATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 69W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSC018NE2LSIATMA1 nach Preis ab 0.98 EUR bis 2.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BSC018NE2LSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 12 V |
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BSC018NE2LSIATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 69W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BSC018NE2LSIATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC018NE2LSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 0.0015 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 69W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC018NE2LSIATMA1 Produktcode: 109878 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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BSC018NE2LSIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 29A 8-Pin TDSON EP T/R |
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